驱动式漂移模式自旋量子比特的动态甜点位置
介观与纳米尺度物理
2024-08-08 v1 量子物理
摘要
半导体量子点中受限的电子或空穴自旋显示出作为量子信息处理器的潜力，因其允许高效的电场驱动量子比特操控。然而，其对电噪声的敏感性可能阻碍这些量子比特的有效性。本文探讨了电噪声对受AC栅极驱动的平面双量子点（DQD）自旋量子比特的影响，聚焦于具有自旋轨道相互作用的漂移模式自旋量子比特。我们在时依赖有效哈密顿量框架下采用旋转波近似，推导出单个电子或空穴在DQD中自旋量子比特振荡的拉比频率解析表达式。我们发现，通过非共振驱动可有效缓解电荷噪声的影响，导致动态甜点位置的出现。在特定的驱动参数和量子比特操控期间的detuning范围内，该提议的工作模式显著提高了量子门的保真度。此外，我们的研究揭示了可由驱动和DQD参数调节的二级动态甜点位置的潜在诱导。理解在非共振驱动下驱动量子比特的重要性，对开发高保真度的平面DQD自旋量子比特具有重要意义，无论是硅中的电子还是德国中的空穴。
引用
@article{arxiv.2408.03730,
title = {Dynamic sweet spot of driven flopping-mode spin qubits in planar quantum dots},
author = {Yaser Hajati and Guido Burkard},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.03730},
year = {2024}
}