SiC 中多型体与层错的温度依赖性稳定性：调和理论与实验
材料科学
2019-09-04 v1 化学物理
计算物理
摘要
由于理论与实验之间的分歧，SiC 多型体的相对稳定性随温度变化这一现象约三十年来被视为一个悖论。基于包含范德华修正的第一性原理计算，获得了与实验观测一致的温度依赖多型图。结果可基于六方性对内聚能和熵的影响轻松解释。我们还分析了层错的温度依赖稳定性，发现其与实验证据相符。我们的结果表明，为了减少 SiC 基功率器件中普遍存在的层错，在 SiC 晶体沉积过程中较低的温度是有利的。
引用
@article{arxiv.1903.01936,
title = {Temperature-dependent stability of polytypes and stacking faults in SiC: reconciling theory and experiments},
author = {Emilio Scalise and Anna Marzegalli and Francesco Montalenti and Leo Miglio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.01936},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 4 figures