四方相 Fe1.00Se 的合成与晶体生长
超导电性
2015-08-25 v2
摘要
在低于 723 K 的温度下，使用 AlCl3 作为输运添加剂，通过化学气相输运反应从多晶材料中生长了四方相 Fe1.00Se 的单晶。板状单晶的边长可达 4 mm。该单晶在超导转变以下表现出完全的抗磁屏蔽因子 4piX = -1。
引用
@article{arxiv.1508.05213,
title = {Synthesis and Crystal Growth of Tetragonal Fe1.00Se},
author = {Cevriye Koz and Marcus Schmidt and Horst Borrmann and Ulrich Burkhardt and Sahana Rossler and Wilder Carrillo-Cabrera and Walter Schnelle and Ulrich Schwarz and Yuri Grin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.05213},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 9 figures