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对称性有丝分裂与 Hasse 图菱形:关于带有 $\mathrm{ON}^{0}$ 膜的膜位形的一点注记

高能物理 - 理论 2026-01-19 v1

摘要

本文考虑源于带有 ON0\mathrm{ON}^0 膜的 Type IIA 和 Type IIB 膜系统的 3d N=4\mathcal{N}=4(酉)正交辛拟规范理论。此类理论超出了现有用于 Coulomb 分支对称性和辛分层组合技术的适用范围。结果表明,正确的处理方法涉及“对称性有丝分裂”:两条线性平衡链中节点的公共子集产生 Coulomb 分支全局对称性的两个因子,而非一个;正确的 Coulomb 分支 Hasse 图是通过对朴素拟图减法计算出的图进行“加倍”操作获得的。来自 6d SQFTs 和小弦理论的输入允许构建各种“有丝分裂”磁拟图。给出了最小 (E6,E6)(E_6,E_6) 共形物质的完整 Higgs 分支 Hasse 图。此外,发现了一种新的 Type I' 膜系统,该系统使用八个全 D8 膜、带负电的 D6 膜和 ON0\mathrm{ON}^0 膜,对应于 Spin(32)\mathrm{Spin}(32)C2\mathbb C^2 上的瞬子乘积。相应的 6d 理论使用 Sp(1)\mathrm{Sp}(-1) 规范节点,对于 a=0,1,,12a=0,1,\cdots,12,这些节点具有 O(a)\mathrm{O}(a)O(12a)\mathrm{O}(12-a) 的双旋量物质的解释。

关键词

引用

@article{arxiv.2601.10826,
  title  = {Symmetry Mitosis and Hasse Diagram Diamonds: A Note on Brane Configurations with $\mathrm{ON}^{0}$ Planes},
  author = {Sam Bennett and Amihay Hanany and Guhesh Kumaran and Lorenzo Mansi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2601.10826},
  year   = {2026}
}