原子尺度计算下单轴拉伸应力下 Si (100) 表面台阶效应
材料科学
2007-09-12 v1
摘要
本文利用经验势研究了单轴拉伸应力下硅表面台阶的影响。我们的目标是寻找导致从台阶处成核位错的条件。结果表明，在此类条件下无法产生位错。这种不同于金属预测的行为，可归因于共价键或立方金刚石结构。
引用
@article{arxiv.0709.1583,
title = {Surface step effects on Si (100) under uniaxial tensile stress, by atomistic calculations},
author = {Julien Godet and Laurent Pizzagalli and Sandrine Brochard and Pierre Beauchamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1583},
year = {2007}
}