反铁磁半导体 CrSb$_2$ 中的表面电导
材料科学
2020-10-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
沿晶体学 \textit{b} 轴和 \textit{c} 轴的体贡献与表面贡献对电阻随晶体厚度的变化关系，为反铁磁窄带隙半导体 CrSb 中存在温度无关的表面态提供了证据。角分辨光电子能谱（ARPES）在 - 方向显示出清晰的类电子口袋，而体带结构中不存在该口袋。第一性原理计算也证实了体隙内金属性表面态的存在。尽管综合实验探测指向类似于拓扑绝缘体的增强表面传导，但由于 CrSb 不展现能带反转，其表面态是平庸的。
引用
@article{arxiv.2008.07521,
title = {Surface Conductivity in Antiferromagnetic Semiconductor CrSb$_2$},
author = {Qianheng Du and Huixia Fu and Junzhang Ma and A. Chikina and M. Radovic and Binghai Yan and C. Petrovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.07521},
year = {2020}
}