缺陷双层 MoS2 中剪切拉曼模的抑制
材料科学
2019-03-27 v2
摘要
我们研究了晶格无序对双层 MoS2 低频拉曼光谱的影响。通过 30 keV He+ 离子束辐照对双层 MoS2 进行缺陷工程，并利用透射电子显微镜表征诱导的形貌变化。随着离子剂量的增加，观察到剪切模发生红移，且与其他拉曼峰相比被急剧抑制。我们使用线性链模型来描述拉曼光谱的变化。我们的观察表明，微晶尺寸与取向是拉曼光谱变化的主导因素。
引用
@article{arxiv.1812.05543,
title = {Suppression of the Shear Raman Mode in Defective Bilayer MoS2},
author = {Pierce Maguire and Clive Downing and Jakub Jadwiszczak and Maria O'Brien and Darragh Keane and John B. McManus and Georg S. Duesberg and Valeria Nicolosi and Niall McEvoy and Hongzhou Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.05543},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 4 figures in main paper + supplemental