UPt_3 单晶中的超导性抑制
超导电性
2010-11-16 v1 强关联电子
摘要
制备了高品质的UPt_3单晶,通过超高真空条件下的垂直浮点精炼。我们发现超导临界温度可通过退火系统地调节,揭示UPt_3的内在临界温度为563±5 mK。超导临界温度因缺陷的抑制符合包含各向异性配对、费米面各向异性以及缺陷各向异性散射的修正阿布里诺斯-戈尔'科夫公式。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9806266,
title = {Suppression of Superconductivity in UPt_3 Single Crystals},
author = {J. B. Kycia and J. I. Hong and M. J. Graf and J. A. Sauls and D. N. Seidman and W. P. Halperin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9806266},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 4 figures in postscript. To appear in Phys. Rev. B 58 (July 1, 1998)