InN 等离子体辅助 MOCVD 的过饱和模型
介观与纳米尺度物理
2020-03-24 v1 材料科学
摘要
我们建立了一种用于 InN 等离子体辅助金属有机化学气相沉积的热力学过饱和模型。该模型基于铟与等离子体产生的原子氮离子的化学结合。针对通过 PA-MOCVD 生长、具有不同铟前驱体输入流量的 InN 薄膜，分析了铟的过饱和度。拉曼光谱、X 射线衍射和原子力显微镜为所生长薄膜的结构特性与表面形貌提供了反馈。分析了生长参数变化对铟过饱和度的影响。在不同生长参数下生长、但具有相同的铟过饱和度值的 InN 薄膜表现出相似的结构特性和表面形貌。
引用
@article{arxiv.2003.10067,
title = {Supersaturation model for InN PA-MOCVD},
author = {Zaheer Ahmad and Mark Vernon and Garnett B. Cross and Daniel Deocampo and Alexander Kozhanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.10067},
year = {2020}
}
备注
11 pages, 6 figures