利用 MPCVD 快速合成热电 SnSe 薄膜
材料科学
2020-04-07 v2
摘要
微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）传统上用于合成碳基材料，如金刚石、碳纳米管和石墨烯。本文报道，采用单模 MPCVD 并选用合适的源材料，可实现 SnSe 薄膜的快速且无催化剂生长。结合显微镜图像、X 射线衍射图谱和晶格振动模式的分析表明，所生长的薄膜由主要沿 (111) 方向的正交结构 SnSe 多晶组成。进一步的热电（TE）表征显示，SnSe 薄膜的功率因子在 600 K 时达到 3.98 μW cm⁻¹K⁻²，与已报道的 SnSe 薄膜最高值相当。我们的结果可能为快速合成 IV-VI 族化合物等新型材料开辟途径，并对这些材料的热电应用具有价值。
引用
@article{arxiv.1911.06495,
title = {Rapid Synthesis of Thermoelectric SnSe Thin Films by MPCVD},
author = {Yuyu Feng and Xi Zhang and Li Lei and Ya Nie and Gang Xiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.06495},
year = {2020}
}