PrOFe0.9Co0.1As的超导与临界性质：P掺杂效应
超导电性
2015-05-27 v1 强关联电子
摘要
已知PrOFe0.9Co0.1As是一种Tc约为14 K的超导体。为了在FeAs和PrO层之间诱导电荷转移并产生化学压力，我们首次合成了PrOFe0.9Co0.1As1-xPx型（在As位进行P掺杂）氧磷族化合物。所有化合物均结晶为四方ZrCuSiAs型结构（空间群 = P4/nmm）。正如预期，在PrOFe0.9Co0.1As的砷位用较小的磷替代会使晶格参数（a和c）减小，且在x > 0.1时，观察到P离子替代导致Tc以0.13 K/at. % P的低速率下降。通过交流磁化率测量获得的不可逆场（Hirr）和临界电流密度（JC）被发现随P浓度的增加而单调递减。观察到Hirr远小于HC2，这表明钉扎能非常低。通过场内输运和交流磁化率测量获得的钉扎势表明其值很低，约为40 meV，且未显示出随P替代有显著变化。
引用
@article{arxiv.1104.0137,
title = {Superconducting and critical properties of PrOFe0.9Co0.1As: effect of P doping},
author = {Shilpam Sharma and Jai Prakash and Gohil S. Thakur and A. T. Satya and A. Bharathi and A K Ganguli and C S Sundar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.0137},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 8 figures (accepted); Superconductor Science and Technology (2011)