CdS薄膜的亚太赫兹热激活电导率

Rezwanur Rahman; John A. Scales

doi:10.1063/1.4961584

CdS薄膜的亚太赫兹热激活电导率

材料科学 2016-09-21 v1

作者: Rezwanur Rahman , John A. Scales

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摘要

受晶粒结构控制的CdS薄膜的电导率，对于提升其光电导率以使其能够作为CdS/CdTe异质结太阳能电池中的窗口材料至关重要。为了从电磁学上表征薄膜，我们采用了带有亚毫米矢量网络分析仪 (VNA) 的开放腔谐振器。我们的技术能够测量薄至 0.1 $\mu$ m 的光伏薄膜的复介电常数 $\tilde{\epsilon}$ 。我们在室温下测量了未退火与退火的CdS薄膜（厚度 $\sim$ 0.15 $\mu$ m，置于 $\sim$ 3 mm 厚的硼硅酸盐玻璃衬底上）的复介电常数实部 $\epsilon_{re}$ 与电导率 $\sigma_{re}$ （由虚部 $\epsilon_{im}$ 导出）。我们获得了 100 至 312 GHz 间的（热激活）电导率，退火样品中的电导率比未退火样品低约 2 个数量级。与我们的预期相反，通过拟合德鲁德模型从这些数据提取的载流子浓度为 $\sim$ 10 $^{16}$ cm $^{-3}$ （未退火）与 $\sim$ 10 $^{14}$ cm $^{-3}$ （退火）。我们研究了晶粒尺寸与载流子浓度之间的关联。

关键词

硫化镉薄膜热激活电导率亚太赫兹介电常数德鲁德模型晶粒尺寸太阳能电池

引用

@article{arxiv.1608.04747,
  title  = {Sub-THz thermally activated-electrical conductivity of CdS thin films},
  author = {Rezwanur Rahman and John A. Scales},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1608.04747},
  year   = {2016}
}

备注

(In press), (2016) Applied Physics Letters

CdS薄膜的亚太赫兹热激活电导率

摘要

关键词

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