利用腔微扰法研究 Pr$_{1.85}$Ce$_{0.15}$CuO$_{4-\delta}$ 薄膜的复微波电导率
超导电性
2009-11-13 v1 强关联电子
摘要
我们利用腔微扰技术研究了电子掺杂的 PrCeCuO 超导薄膜的微波电导率。对于放置在腔内最大电场位置的样品获得的相对频率偏移，采用 Peligrad 等人近期提出的高电导率极限进行处理。利用同一腔的两个共振模式 TE（16.5 GHz）和 TE（13 GHz），仅需一个可调参数 即可将空腔的频率偏移与加载完美导体的空腔的频率偏移联系起来。此外，通过研究不同的样品构型，我们可以将基底效应对频率偏移的影响关联到一个缩放因子。这些程序使我们能够提取两薄膜（质量不同）的复穿透深度和复微波电导率的温度依赖性。我们的数据确认超导态的所有物理性质都与具有节线的序参量一致。此外，我们证明了这些性质对薄膜质量的高度敏感性。
引用
@article{arxiv.0711.4089,
title = {Complex microwave conductivity of Pr$_{1.85}$Ce$_{0.15}$CuO$_{4-\delta}$ thin films using a cavity perturbation method},
author = {Guillaume Cote and Mario Poirier and Patrick Fournier},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.4089},
year = {2009}
}