垂直静磁场下薄铌膜的微波响应
超导电性
2007-05-23 v3
摘要
研究了高质量铌膜在垂直静磁场中的微波响应。测量了直到上临界场的复频移。数据通过混合态中第二类超导体的有效电导率模型进行了分析。发现该模型在高kappa超导样品中能产生一致的相干长度结果，并且可以在远低于T_c的温度下用于高温超导体。结果表明，对于具有高脱钉频率的样品，应测量复频移的两个分量以确定流动电阻率。厚Nb膜（160 nm）在10 K时具有低电阻率，可与最佳单晶相媲美，并且kappa值低。相比之下，最薄（10 nm）的膜具有kappa ~ 9.5，并表现出高脱钉频率（~20 GHz）。由微波测量确定的上临界场与不重叠涡旋的半径有关，并且似乎大于由向正常态转变所确定的上临界场。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602168,
title = {Microwave response of thin niobium films under perpendicular static magnetic fields},
author = {D. Janjusevic and M. S. Grbic and M. Pozek and A. Dulcic and D. Paar and B. Nebendahl and T. Wagner},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602168},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 7 figures; submitted to PRB; measured rho_n; changes due to the referees' comments (abstract, conclusions, extended introduction)