SmBaCuO 薄膜微波电阻率的磁场依赖性
超导电性
2007-05-23 v3 强关联电子
摘要
我们报道了在 48 GHz 下对 SmBaCuO 薄膜微波复电阻率的测量。测量是在沿 c 轴施加的、大小为 0.8T 的中等磁场下进行的。我们发现复电阻率呈现出明显的亚线性磁场依赖性，且其虚部对中等磁场异常敏感。若考虑异常强的钉扎效应，其解释会导致单涡旋粘滞系数和钉扎常数出现非常反常的磁场依赖关系。相比之下，若允许磁场对凝聚体耗散有显著影响，则数据可由简单的自由磁通流模型辅以二流体电导率进行定量描述。在此框架下，我们从数据中获得了涡旋粘滞系数。我们比较了 SmBaCuO 和 YBaCuO 中的涡旋粘滞系数。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0405324,
title = {Field dependence of the microwave resistivity in SmBaCuO thin films},
author = {E. Silva and N. Pompeo and L. Muzzi and R. Marcon and S. Sarti and M. Boffa and A. M. Cucolo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0405324},
year = {2007}
}
备注
RevTeX, 8 pages, 8 figures. Minor changes in the text, added reference, more typos corrected