强过掺杂Tl2201中的微波电导率和超流密度
超导电性
2013-12-24 v1
摘要
我们报告了单层铜氧化物Tl2201在深度过掺杂区域（Tc ~ 25 K）的微波表面阻抗测量结果。测量采用介质谐振器的腔微扰法，在17个离散频率（2.50至19.16 GHz）和0.12至27.5 K的温度范围内进行。从表面阻抗我们获得了微波电导率、穿透深度和超流密度。超流密度在2至14 K范围内呈现强烈的线性温度依赖性，表明能隙中存在线节点。将微波数据与具有点状杂质的d波超导体的理论预测进行比较，得出结论：Tl2201中的无序主要作用于弱到中等强度散射区域，并且小角度散射很重要。
引用
@article{arxiv.1312.6459,
title = {Microwave conductivity and superfluid density in strongly overdoped Tl2201},
author = {D. Deepwell and D. C. Peets and C. J. S. Truncik and N. C. Murphy and M. P. Kennett and W. A. Huttema and Ruixing Liang and D. A. Bonn and W. N. Hardy and D. M. Broun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.6459},
year = {2013}
}
备注
13 pages, 9 figures