通过复杂微波表面阻抗揭示UTe$_2$中各向同性丰富的低能激发

复杂表面阻抗是研究超导体中正常流动和超流动响应的成熟工具。超导体的基本特性，如配对机制、费米面和拓扑性质，也会影响表面阻抗。我们利用谐振腔扰动测量和一种新型多模态分析方法，探讨了自旋三体UTe$_2$单晶的温度依赖性 microwave 表面阻抗，以深入了解这些特性。我们通过共振数据结合独立测量的正常态直流电阻率张量，确定了晶体的每个模态的复合表面阻抗。正常态表面阻抗揭示了每个共振模态中电流流动方向的加权情况。对于UTe$_2$，我们发现磁 Penetration 深度 $\Delta \lambda(T) \sim T^\alpha$ 的各向同性 power-law 温度依赖性，在 $T\le T_c/3$ 时，$\alpha < 2$，这与在弱散射条件下费米面上单对点节点相符不吻合。我们也发现低温表面电阻 $R_s(T) \sim T^{\alpha_R}$ 具有类似的 power-law 温度依赖性，$\alpha_R < 2$。我们观察到这些模态之间残余微波损耗呈强烈各向异性，有些模态的损耗低于普遍的线节点值，而有些则显著更高。我们将其与拓扑 Weyl 超导性在所观察到的各向同性 power-law 以及残余损耗的各向异性进行比较。