d 波超导体中由广延线性缺陷散射引起的微波导电率

最近对去双取向(detwinned)、高纯度、略微过掺杂 YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{6.993}$ 晶体的微波导电率测量显示，在温度范围为 1~20 K、频率范围为 1~75 GHz 时，电导率呈线性温度依赖且接近 Drude 线型。先前的理论工作表明，d 波超导体中点缺陷(杂质)散射的简单模型与这些结果不一致。因此，有人建议广延缺陷，如双取向边界残留物(来自去双取向过程)，可能也具有重要作用。我们在自洽 Born 近似(包括顶点修正)下，对含广延线性缺陷散射的 d 波超导体计算其自能和微波导电率。我们发现，在实验相关的极限下($\Omega, 1/\tau \ll T \ll \Delta_{0}$)，得到的微波导电率具有线性温度依赖和接近 Drude 的频率依赖，与实验结果良好一致。