半导体量子线盒杂化激子的多体重整: 吸收、增益、结合、解离与 Mott 相变

我们在 GaAs 量子线盒结构中考虑在外部光激发条件下准一维多体激子的形成与稳定性，通过求解实际库仑相互作用的动态筛选 Bethe-Salpeter 方程。与几项最近实验结果一致，我们计算的激子峰在载流子密度达到 Mott 相变密度 $n_c\sim3\times10^5$ cm$^{-1}$ 甚至更高时表现出极弱的载流子密度依赖性。超过 $n_c$ 时，我们发现显著的光学增益，充分表明一维量子线盒激光器操作的可能性。