中子嬗变掺杂锗中放射性杂质的研究
仪器与探测器
2014-12-01 v2 核实验
摘要
已启动一项利用中子嬗变掺杂锗开发低温(mK)传感器的计划，用于低温辐射热计的稀有事件研究。为此，在孟买BARC的Dhruva反应堆中用热中子通量辐照半导体级锗晶片。辐照样品的谱学研究表明，用于辐照样品的胶囊环境会导致显著的Zn、Ag和Ta杂质水平，这些杂质可通过化学蚀刻约m厚的表面层来减少。在低本底计数装置中对蚀刻样品的测量表明，辐照后体锗中痕量杂质Sb的活度估计为 1 Bq/g。这些估计表明，为了将NTD Ge传感器用于稀有事件研究，需要大约 2年的冷却期，以将放射性本底降低到 1 mBq/g。
引用
@article{arxiv.1406.1731,
title = {Study of Radioactive Impurities in Neutron Transmutation Doped Germanium},
author = {S. Mathimalar and N. Dokania and V. Singh and V. Nanal and R. G. Pillay and A. Shrivastava and K. C. Jagadeesan and S. V. Thakare},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.1731},
year = {2014}
}
备注
17 pages, 4 figures