$Be_2X(X=C, Si, Ge, Sn)$ 的结构、弹性、电子与光学性质：第一性原理研究
材料科学
2022-01-26 v2
摘要
我们利用广义梯度近似（GGA）的从头算 DFT 计算，计算了 Be2X（X = C、Si、Ge、Sn）反萤石族的结构、弹性、电子和光学性质。研究了几何优化、能带结构、态密度、弹性常数、介电函数等不同参数。我们还使用 PBE0 和 HSE 杂化泛函计算了带隙，以与 Be2C 的实验带隙进行比较。尽管其中三种化合物本质上是假想的，但其形成能为负。所计算的弹性常数值表明反萤石 Be2X 在力学上是稳定的。epsilon 实部的图显示负值，为 Be2X 在辐射损伤下的阻挡行为给出了有前景的结果。
引用
@article{arxiv.2112.10521,
title = {Structural, Elastic, Electronic and Optical Properties of $Be_2X(X=C, Si, Ge, Sn)$: First Principle Study},
author = {Prakash Chanda Gupta and Rajendra Adhikari},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.10521},
year = {2022}
}
备注
17 pages, 10 figures