Bi$_{2}$Te$_{3}$中拓扑表面态电子对磁缺陷的强自旋轨道转矩效应
材料科学
2020-10-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了嵌入拓扑绝缘体 BiTe 表面的过渡金属杂质 Cr、Mn、Fe 和 Co 的磁矩上，因表面电场及随之产生的表面电流流动所施加的自旋轨道转矩。电子在杂质原子上的多重散射问题通过全势相对论 Korringa-Kohn-Rostoker (KKR) 格林函数方法的从头计算求解，而自旋轨道转矩计算通过将 KKR 方法与半经典玻尔兹曼输运方程相结合进行。我们分析了自旋轨道转矩与缺陷中自旋累积和自旋通量的关联。我们比较了不同磁性杂质上的转矩并揭示了共振散射的效应。此外，我们计算了这些系统中作为转矩函数的电阻率和焦耳热。我们预测在所研究的系统中 Mn/BiTe 是最优的。
引用
@article{arxiv.2006.14555,
title = {Strong Spin-Orbit Torque effect on magnetic defects due to topological surface state electrons in Bi$_{2}$Te$_{3}$},
author = {Adamantia Kosma and Philipp Rüßmann and Stefan Blügel and Phivos Mavropoulos},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.14555},
year = {2020}
}