单量子点与 L4/3 光子晶体纳米腔的强耦合
量子物理
2020-08-03 v2 光学
摘要
我们展示了单个量子点与基于 GaAs 的 L4/3 型光子晶体纳米腔之间的强耦合。L4/3 腔支持高的理论 Q 因子（~8×10^6）、小的模体积（~0.32 (\lambda/n)^3），以及最大电场位于宿主介电材料内的电场分布，这有利于与量子点强耦合。我们制备了 L4/3 腔，并通过光致发光测量观察到超过 80,000 的高 Q 因子。我们通过观察到光谱中清晰的反交叉，确认了单量子点与 Q 因子为 33,000 的 L4/3 腔之间的强耦合。
引用
@article{arxiv.2006.06170,
title = {Strong coupling between a single quantum dot and an L4/3 photonic crystal nanocavity},
author = {Kazuhiro Kuruma and Yasutomo Ota and Masahiro Kakuda and Satoshi Iwamoto and Yasuhiko Arakawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.06170},
year = {2020}
}