量子点嵌入光子晶体中高品质因子单缺陷纳米腔的模式识别
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了基于三角晶格 GaAs 光子晶体 (PC) 薄膜的单缺陷纳米腔的品质 (Q) 因子和模式色散，该薄膜包含作为宽带发射体的 InAs 量子点 (QDs)。为了获得偶极模式的高 Q 因子，我们在保持六重对称性的同时，调制了纳米腔周围空气孔的半径和位置。实验证明了最大 Q 值为 17,000，模式体积为 V=0.39(λ/n)^3。我们获得了 Q/V 为 44,000(n/λ)^3，这是迄今为止报道的 QD 嵌入 PC 纳米腔的最高值之一。我们还观察到调制结构在第一光子带隙内的十个腔模式。它们的色散和偏振特性与数值结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702234,
title = {Mode identification of high-quality-factor single-defect nanocavities in quantum dot-embedded photonic crystals},
author = {Masayuki Shirane and Shunsuke Kono and Jun Ushida and Shunsuke Ohkouchi and Naoki Ikeda and Yoshimasa Sugimoto and Akihisa Tomita},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702234},
year = {2007}
}
备注
Accepted for publication in J. Appl. Phys