掺杂 Hubbard 阶梯中的条纹形成
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
我们使用密度矩阵重整化群 (DMRG) 方法研究了从半填充掺杂开 个空穴的 Hubbard 阶梯中的条纹形成。并行化代码使我们能够保留足够多的密度矩阵本征态(最多至 ),并研究足够大的系统(最多至 个阶梯横档),以将条纹幅度外推至 DMRG 截断误差消失和无限长阶梯的极限。我们的工作给出了强有力的证据,表明在强耦合 () 下基态中存在条纹,但在较弱耦合 () 下在空穴密度中发现的结构是 DMRG 方法的伪影。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409321,
title = {Stripe formation in doped Hubbard ladders},
author = {G. Hager and G. Wellein and E. Jeckelmann and H. Fehske},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409321},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 6 Figures