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掺杂 Hubbard 阶梯中的条纹形成

强关联电子 2009-11-10 v1

摘要

我们使用密度矩阵重整化群 (DMRG) 方法研究了从半填充掺杂开 44 个空穴的 7×67 \times 6 Hubbard 阶梯中的条纹形成。并行化代码使我们能够保留足够多的密度矩阵本征态(最多至 m=8000m=8000),并研究足够大的系统(最多至 7=217 = 21 个阶梯横档),以将条纹幅度外推至 DMRG 截断误差消失和无限长阶梯的极限。我们的工作给出了强有力的证据,表明在强耦合 (U=12tU=12t) 下基态中存在条纹,但在较弱耦合 (U=3tU=3t) 下在空穴密度中发现的结构是 DMRG 方法的伪影。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0409321,
  title  = {Stripe formation in doped Hubbard ladders},
  author = {G. Hager and G. Wellein and E. Jeckelmann and H. Fehske},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409321},
  year   = {2009}
}

备注

6 pages, 6 Figures