应变对硅中Auger-Meitner复合的影响
材料科学
2024-01-03 v2
摘要
我们利用第一性原理计算研究了压缩与拉伸双轴应变对硅中直接与声子辅助Auger-Meitner复合（AMR）的影响。我们发现施加应变对AMR速率具有非平凡效应。对多数AMR过程，施加应变会提高AMR速率。然而，涉及两空穴与一电子的AMR过程的复合速率在拉伸应变下被抑制38%。我们进一步分析了介导声子辅助AMR机制的特定声子贡献，展示了应变下各向异性的增强。我们的结果表明，施加拉伸应变提高了p型硅中少数电子载流子寿命，可被用以提升硅器件效率。
引用
@article{arxiv.2309.09927,
title = {Strain Effects on Auger-Meitner Recombination in Silicon},
author = {Kyle Bushick and Emmanouil Kioupakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.09927},
year = {2024}
}
备注
Supplementary Material included beneath references