基于第一性原理的硅中声子辅助俄歇-迈特纳复合
材料科学
2023-08-31 v2
摘要
我们提出一种一致的第一性原理方法，用于研究间接带隙半导体中的直接和声子辅助俄歇-迈特纳复合（AMR），并将其应用于探究硅中 AMR 过程的微观起源。我们的结果与实验测量极为吻合，并表明在 n 型和 p 型硅中声子辅助贡献均主导复合速率，证明了声子在促成 AMR 中的关键作用。我们还将总速率分解为特定声子和电子谷的贡献，以进一步阐明 AMR 的微观起源。我们的结果突出了通过应变工程调控硅中 AMR 速率的潜在途径。
引用
@article{arxiv.2207.08028,
title = {Phonon-assisted Auger-Meitner Recombination in Silicon from First Principles},
author = {Kyle Bushick and Emmanouil Kioupakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.08028},
year = {2023}
}
备注
Version accepted for publication, includes main text and supplemental material