用于解释纳米硅拉曼线形的声子限域模型推广
介观与纳米尺度物理
2017-12-01 v1
摘要
对两种拉曼线形函数进行了比较分析，以验证对半导体纳米材料实验观测拉曼散射数据的真实表征。一种已存在声子限域模型的修正形式纳入了两个基本考量：声子动量守恒与区中心声子频率偏移。在纳入上述两个因素后，生成了相当对称的拉曼线形，这与通常从纳米结构半导体获得的非对称拉曼线形相反。通过拟合由金属诱导刻蚀制备的硅纳米结构的实验观测拉曼散射数据，可以确立在声子限域模型框架内获得的拉曼线形是尺寸足够小的半导体的真实代表性拉曼线形。
引用
@article{arxiv.1711.11467,
title = {Generalization of Phonon Confinement Model for Interpretation of Raman Line-Shape from Nano-Silicon},
author = {Manushree Tanwar and Priyanka Yogi and Simran Lambora and Suryakant Mishra and Shailendra K. Saxena and Pankaj R Sagdeo and Alexander S. Krylov and Rajesh Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.11467},
year = {2017}
}
备注
8 pages, 3 figures