非对称拉曼线形从纳米结构中的演化
介观与纳米尺度物理
2016-09-01 v1 材料科学
摘要
本文展示了低维半导体中非对称拉曼线形函数从洛伦兹线形逐步演化的过程。此处报道的演化基于声子限制模型，该模型在文献中已成功用于解释半导体纳米结构产生的非对称拉曼线形。文中解释了理论非对称拉曼线形中各项的物理意义。更好地理解每一项背后的理论推理，使得人们无需深入第一性原理理论细节即可使用理论拉曼线形。这将使人们能够在已知材料的声子色散、尺寸依赖性等信息的情况下，经验性地推导出任何材料的理论拉曼线形函数。
引用
@article{arxiv.1309.5180,
title = {Evolution of Asymmetric Raman line-shape from nano-structures},
author = {Rajesh Kumar and Gayatri Sahu and Shailendra K. Saxena and Hari M. Rai and Pankaj R. Sagdeo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.5180},
year = {2016}
}