扭曲螺旋锑烯中的应变效应

范德瓦耳斯（vdW）层状材料展现出丰富的新奇物理性质。此类材料的能带强烈依赖于其结构，而物理性质的巨大变化可由层间距、扭转角或面内应变的微小改变推导得出。本工作构建了一种螺旋锑烯的 vdW 层状材料，并研究了该材料中的应变效应。该螺旋锑烯生长在锗（Ge）衬底上，由贯穿少数原子层锑烯（\b{eta}相）的螺旋位错诱导产生。所生长螺旋具有本征应变，且晶格畸变被发现钉扎在位错周围。在扫描隧道显微镜（STM）测量中观察到自发的层间扭转和面内各向异性应变。螺旋锑烯中的应变可通过 STM 针尖相互作用显著改变，导致表面电子态密度（DOS）的变化以及功函数高达数百毫电子伏特（meV）的大幅修正。这些应变效应有望在构建新型压电器件中具有潜在应用。