堆垛序与面内应变对双层锑烯电学性质的交互影响
材料科学
2020-07-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本工作研究了具有不同堆垛序的双层锑烯的电学性质。采用带范德瓦耳斯（vdW）修正的密度泛函理论来研究其电学性能。两种构型表现出可观的带隙，而其他结构的带隙接近于零。施加面内双轴应变以调控电学性质。带隙在特定应变水平达到最大值，随后在更大的压缩和拉伸应变下闭合。研究了导带中三个谷（Γ、Q和K）的能量随应变的变化。导带最小值在这些谷之间随应变发生切换。两个能带也贡献于价带最大值，并研究了这两个能带在不同应变下的能量。最后，获得了导带和价带各谷的有效质量。Γ谷处的有效质量表现出最低的有效质量。
引用
@article{arxiv.2007.10258,
title = {Interplay Between Stacking Order and In-plane Strain on the Electrical Properties of Bilayer Antimonene},
author = {Shoeib Babaee Touski and Nayereh Ghobadi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.10258},
year = {2020}
}