混沌腔体内电荷涨落的统计性质
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
我们考虑在大电容极限下，介观导体内部电荷的零频涨落问题。类比于电流计数统计，我们以导体的散射矩阵为参数，推导了电荷涨落的特征函数。利用随机矩阵理论，对混沌腔体的特征函数进行了半解析计算。我们的结果具有普适性，不仅适用于电荷涨落，也适用于腔体内任何可观测量的涨落。我们讨论平衡与非平衡涨落，并将理论推广到接触透射率任意的情况。最后我们研究了在小电容极限下由于电荷屏蔽导致的涨落抑制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302138,
title = {Statistics of Charge Fluctuations in Chaotic Cavities},
author = {S. Pilgram and M. Buttiker},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302138},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 3 figures