库仑耦合导体中的电容、电荷涨落与相位耗散
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
讨论了通过长程库仑力耦合的两个相邻介观导体的电荷涨落，并用于寻找一导体对另一导体施加的相位耗散率。该讨论基于电荷密度和对波动电势响应的散射方法表述。与泊松方程的耦合导致对电荷涨落的电气自洽描述。在平衡状态下，低频噪声功率可通过电荷松弛电阻(该电阻与电容共同决定RC时间常数)来表示。在运输存在的情况下，低频电荷噪声功率由反映出散粒噪声存在的电阻决定。我们使用这些结果推导了库仑耦合导体的相位耗散率表达式，并寻找测量时间的自洽表达式。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0009445,
title = {Capacitance, Charge Fluctuations and Dephasing In Coulomb Coupled Conductors},
author = {Markus Buttiker},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0009445},
year = {2007}
}
备注
Proceedings of the workshop on Interacting Electrons in Nanostructures,Bad-Honef, Germany, June 12 - June 16 (2000)