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偏置渗流下随机电阻网络的稳态区域

统计力学 2009-11-07 v1

摘要

本文在较宽的偏置值范围内研究了由两个竞争偏置渗流同时演化所产生的二维随机电阻网络的状态。Monte Carlo 模拟表明,当外部电流 II 低于电击穿阈值时,网络达到具有非线性电流-电压特性的稳态。本文研究了该非线性区域的性质随不同模型参数的变化关系。在 <R>/<R>0<R>/<R>_0I/I0I/I_0 之间发现了一个标度关系,其中 <R><R> 为平均电阻,<R>0<R>_0 为线性区域电阻,I0I_0 为非线性起始的阈值。标度指数被发现与模型参数无关。电阻涨落的相对方差也表现出类似的标度行为。这些结果与复合材料在焦耳区域直至击穿的电阻测量结果吻合良好。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0110646,
  title  = {Stationary Regime of Random Resistor Networks Under Biased Percolation},
  author = {C. Pennetta and L. Reggiani and E. Alfinito and G. Trefan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110646},
  year   = {2009}
}

备注

9 pages, revtex, proceedings of the Merida Satellite Conference STATPHYS21