使用印度商业制造 GEM 箔构建的三重 GEM 探测器的稳定性测试

气体电子倍增器（GEM）技术基于双面覆铜并带有规则孔阵的薄聚合物箔。由于 CERN 的制造能力有限，这些 GEM 箔现也由位于印度的 Micropack Pvt. Ltd. 公司商业制造。为深入了解使用 Micropack 箔构建的探测器行为，研究所加电压及入射粒子通量对这些箔的各种长短期效应十分重要。本文中，我们报道由 X 射线在聚酰亚胺箔上诱导的极化场对三重 GEM 探测器增益稳定性的影响。此外，将放大结构尺寸缩减至微观尺度可快速缓解空间电荷效应，进而有助于在极高入射通量下获得稳定增益。我们报道了在 $\rm MHz/mm^2$ 量级极高粒子通量下有效增益变化的测量。