利用状态空间图中的单元失配表征预测基于SRAM的PUF可靠性
密码学与安全
2024-12-06 v1
摘要
本工作提出了一种方法，用于估计SRAM存储器中6T位单元启动到给定逻辑值的概率的统计分布，以用于PUF应用。首先，该分布是在一个65纳米CMOS器件上实验获得的。由于该分布无法通过电学仿真重现，我们探索使用一个替代参数，该参数定义为位单元状态空间中原点与分界线之间的距离，以量化单元的不匹配。然后，通过蒙特卡洛仿真得到的该参数的分布，使用一个双分量逻辑函数与启动概率分布相关联。报告的结果表明，所提出的不平衡因子是PUF相关可靠性估计的一个良好预测指标，其优势在于可以应用于早期设计阶段。
引用
@article{arxiv.2412.04125,
title = {SRAM-Based PUF Reliability Prediction Using Cell-Imbalance Characterization in the State Space Diagram},
author = {Gabriel Torrens and Abdel Alheyasat and Bartomeu Alorda and Sebastia A. Bota},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.04125},
year = {2024}
}
备注
15 pages, 8 figures