SRAM PUF与随机数源的长期使用连续评估
密码学与安全
2020-08-03 v1
摘要
物理不可克隆函数(PUFs)的品质因硅老化而出现若干明显退化。本文研究硅老化对源自静态随机存取存储器(SRAM)启动行为的PUFs的长期影响。以往关于SRAM老化的研究基于晶体管级仿真或高温高压加速老化测试，以在短期内观测老化效应。相反，我们在标称条件下对16块Arduino Leonardo开发板进行了为期两年的长期连续上电测试。总计收集约1.75亿次测量用于可靠性、唯一性与随机性评估。分析显示，相对于参考发生翻转的比特数增加了19.3%，而SRAM PUF噪声的最小熵在老化两年后平均提升19.3%。标称条件下老化对可靠性的影响小于先前加速老化测试的评估。本工作所进行测试更贴近现场设备条件，因此更准确地评估了硅老化对SRAM PUF的影响。
引用
@article{arxiv.2007.15909,
title = {Long-term continuous assessment of SRAM PUF and source of random numbers},
author = {Rui Wang and Georgios Selimis and Roel Maes and Sven Goossens},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.15909},
year = {2020}
}