PreLatPUF：利用 DRAM 延迟变化生成鲁棒设备签名
密码学与安全
2019-08-02 v3
摘要
物理不可克隆函数（PUF）是在低成本密码学应用中生成唯一且更安全密钥的潜在安全模块。动态随机存取存储器（DRAM）已被提出作为生成鲁棒密钥的有前途候选之一。遗憾的是，现有从 DRAM 生成设备签名的技术非常缓慢、具有破坏性（销毁当前数据）且干扰系统运行。本文中，我们提出基于预充电（precharge）延迟的 PUF（PreLatPUF），其利用 DRAM 预充电延迟变化来生成签名。所提 PreLatPUF 快速、鲁棒、干扰最小且非破坏性。来自不同制造商的商用 芯片的硅验证结果表明，所提密钥生成技术比现有方法至少快 ，同时在极端工作条件下可靠地复现密钥。
引用
@article{arxiv.1808.02584,
title = {PreLatPUF: Exploiting DRAM Latency Variations for Generating Robust Device Signatures},
author = {B. M. S. Bahar Talukder and Biswajit Ray and Domenic Forte and Md Tauhidur Rahman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.02584},
year = {2019}
}