基于字线电压裕度测量的SRAM α粒子软错误率估计：设计架构与实验结果
硬件体系结构
2024-02-21 v1
摘要
来自65 nm CMOS商用技术SRAM测试芯片的实验结果揭示了一个新的电学参数——字线电压裕度（VWLVM）——与实测电路α粒子软错误率（alpha-SER）之间的线性相关性。进一步的实验表明，其他与存储单元电学鲁棒性相关的参数均不呈现此类相关性。所提出的技术基于将少量电路样本的VWLVM与SER测量值进行关联以确定相关性参数。随后，其余未辐照电路的SER可通过电学测量（VWLVM）确定，无需额外的辐射实验。该方法在时间和成本上实现了显著改进，同时简化了SER确定方法，因为大多数电路无需辐照。该技术涉及轻微的内存设计修改，不会降低电路性能，且电路面积增加可忽略不计。
引用
@article{arxiv.2402.10917,
title = {SRAM Alpha-SER Estimation From Word-Line Voltage Margin Measurements: Design Architecture and Experimental Results},
author = {Gabriel Torrens and Ivan de Paul and Bartomeu Alorda and Sebastia Bota and Jaume Segura},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.10917},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 10 figures