任意传导带中Anderson杂质的自旋磁化率

Tie-Feng Fang; Ning-Hua Tong; Zhan Cao; Qing-Feng Sun; Hong-Gang Luo

doi:10.1103/PhysRevB.92.155129

任意传导带中Anderson杂质的自旋磁化率

强关联电子 2015-10-21 v3 介观与纳米尺度物理

作者: Tie-Feng Fang , Ning-Hua Tong , Zhan Cao , Qing-Feng Sun , Hong-Gang Luo

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摘要

Anderson杂质的自旋磁化率是理解Kondo屏蔽物理的关键量。最初由Wilson在平宽带中定义的杂质对磁化率的贡献 $\chi_{\textrm{imp}}$ 的传统数值重整化群(NRG)计算，先前已被推广到结构化传导带。其结果在 $\chi_{\textrm{imp}}$ 中带来了非费米液体和抗磁性Kondo行为，即使能带在费米能级处无隙。本文中，我们使用全密度矩阵(FDM) NRG给出局域磁化率 $\chi_{\textrm{loc}}$ 的高质量数据，并与传统NRG获得的 $\chi_{\textrm{imp}}$ 比较。我们的结果表明在 $\chi_{\textrm{imp}}$ 中观察到的那些奇异行为是非物理的。相反，在费米能级处无隙的任意能带中杂质的低能激发仍是费米液体且顺磁的。我们还证明，不同于产生精度低于 $\chi_{\textrm{imp}}$ 的 $\chi_{\textrm{loc}}$ 的传统NRG，FDM方法允许以低得多的计算代价高精度动力学计算 $\chi_{\textrm{loc}}$ ，精度比 $\chi_{\textrm{imp}}$ 至少高一个数量级。此外，阐明了FDM算法中对 $\chi_{\textrm{imp}}$ 的伪影，以及虚假的非费米液体和抗磁特征的起源。我们的工作提供了一种高效高精度算法来计算任意结构化能带中杂质的自旋磁化率，同时否定了Wilson定义在此类情形下的适用性。

关键词

Anderson杂质自旋磁化率数值重整化群全密度矩阵NRG Kondo屏蔽费米液体传导带

引用

@article{arxiv.1507.07414,
  title  = {Spin susceptibility of Anderson impurities in arbitrary conduction bands},
  author = {Tie-Feng Fang and Ning-Hua Tong and Zhan Cao and Qing-Feng Sun and Hong-Gang Luo},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1507.07414},
  year   = {2015}
}

备注

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任意传导带中Anderson杂质的自旋磁化率

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