由 Andreev 隧穿通过单个电子态诱导的空间依赖态
超导电性
2024-07-19 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
通过低温扫描隧道显微镜和光谱（STM/STS），我们观察到在低载流子密度的超导体（NaAlSi）中，通过单个杂质态进行 Andreev 隧穿所诱导的介内态。当杂质态位于超导体能隙内时，这些能量对称的介内态会出现。介内态可以跨越费米能级，它们显示出 X 形状的空间变化。我们将介内态解释为 Andreev 隧穿通过杂质态的结果，这涉及到配对形成或解体。由于 NaAlSi 中的载流子密度较低，介内态可以通过控制 STM 针尖-样品距离来进行调谐。在强外部磁场下，当杂质态位于靠近费米能级时，杂质态会出现泊松分裂。我们的发现不仅演示了涉及单个电子态的 Andreev 隧穿，也为理解低载流子密度超导体中空间依赖的介内态提供了新的见解。
关键词
引用
@article{arxiv.2403.01949,
title = {Spatially Dependent in-Gap States Induced by Andreev Tunneling through a Single Electronic State},
author = {Ruixia Zhong and Zhongzheng Yang and Qi Wang and Fanbang Zheng and Wenhui Li and Juefei Wu and Chenhaoping Wen and Xi Chen and Yanpeng Qi and Shichao Yan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.01949},
year = {2024}
}
备注
12 pages, 4 figures