短程配对势势性杂质附近的安德烈夫态

Brian M. Andersen; Ashot Melikyan; Tamara S. Nunner; P. J. Hirschfeld

doi:10.1103/PhysRevLett.96.097004

短程配对势势性杂质附近的安德烈夫态

超导电性 2009-11-11 v1 强关联电子

作者: Brian M. Andersen , Ashot Melikyan , Tamara S. Nunner , P. J. Hirschfeld

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摘要

我们研究了在s波和d波超导体中，针对配对势的原子尺度调制所产生的安德烈夫态。对于局部缺口减小的情况，态仅存在于缺口边缘附近。如果允许订单参数的局部符号变化，则可以在接近费米能级的能量处发生共振。这种配对势缺陷附近的局部态密度(LDOS)强烈类似于Zn杂质在Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+x}$ (BSCCO)中隧道测量所观察到的图案。我们讨论了如何在实验中将这种Zn LDOS图案的相位杂质模型与其他方案区分开来。

关键词

安德烈夫态配对势超导体局部态密度 Zn杂质

引用

@article{arxiv.cond-mat/0507661,
  title  = {Andreev states near short-ranged pairing potential impurities},
  author = {Brian M. Andersen and Ashot Melikyan and Tamara S. Nunner and P. J. Hirschfeld},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507661},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 4 figures

短程配对势势性杂质附近的安德烈夫态

摘要

关键词

引用

备注

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