掺杂体诱导的低能态共振态在 Bi₂Sr₂CaCu₂O₈₊δ 中的研究
超导电性
2007-05-23 v2
摘要
我们研究了 Zn 掺杂或可能的 Cu 空位诱导的局部态密度 (LDOS) 中的锐利低能共振峰。在 Bi₂Sr₂CaCu₂O₈₊δ 超导体中，这些近零偏压共振的测量结构，通过不引入内部掺杂态或复杂隧穿模型，得到的扩展掺杂势能定量地再现了这些结构。Zn 势能至少延伸至最近邻 Cu 原子位点，序参数抑制的范围至少延伸至 Zn 原子位点 8 Å 之外。我们进一步表明，Zn 掺杂附近的局部自旋响应性随温度降低而增加，而在超导态中，这是由于局部态密度在费米能级附近锐利增长所致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0402233,
title = {Impurity induced low-energy resonances in Bi_2Sr_2CaCu_2O_{8+delta}},
author = {Jian-Ming Tang and Michael E. Flatte'},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0402233},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 4 figures