硅量子点添加谱的尺度效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1 强关联电子
摘要
我们研究了通过在低迁移率硅绝缘层上异构硅纳米线中几何控制的电阻约束获得的小型人工量子点。对各种由光刻固定的点面积，在低温下记录了添加谱。我们将添加谱的标准差与高电子浓度 regime 下的理论进行比较。我们发现，标准差随点面积的倒数比例增长，其绝对值相当于单粒子谱的能级间隔。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411236,
title = {Size scaling of the addition spectra in silicon quantum dots},
author = {M. Bohm and M. Hofheinz and X. Jehl and M. Sanquer and M. Vinet and B. Previtali and D. Fraboulet and D. Mariolle and S. Deleonibus},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411236},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures