高Q光子晶体谐振腔中确定性增强的单SiGe量子点发射
光学
2023-05-10 v1
摘要
我们报道了单个SiGe量子点（QD）的共振增强辐射发射，该量子点通过可扩展方法确定性地嵌入双色光子晶体谐振腔（PhCR）中其模电场最大处。通过优化分子束外延（MBE）生长技术，我们减少了整个谐振腔中Ge的量以获得恰好一个QD的绝对最小值，通过光刻方法相对于PhCR精确放置，其余为平坦的、几个单原子层厚的Ge润湿层（WL）。利用该方法，实现了QD负载PhCR高达的创纪录品质（Q）因数。给出了含WL但不含QD的样品上对照PhCR的比较，以及谐振腔耦合发射对温度、激发强度和脉冲激发后发射衰减依赖性的详细分析。我们的发现无疑确认了谐振腔中心单个QD作为电信光谱范围内潜在新型光子源。
引用
@article{arxiv.2204.09470,
title = {Single SiGe Quantum Dot Emission Deterministically Enhanced in a High-Q Photonic Crystal Resonator},
author = {Thanavorn Poempool and Johannes Aberl and Marco Clementi and Lukas Spindlberger and Lada Vukušić and Matteo Galli and Dario Gerace and Frank Fournel and Jean-Michel Hartmann and Friedrich Schäffler and Moritz Brehm and Thomas Fromherz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.09470},
year = {2023}
}