单孔在半填充二维 Kondo-Hubbard 模型中的动力学

我们考察了在二维半填充条件下的 Kondo 格子模型。除了费米子跳跃参数 $t$ 和超交换耦合 $J$ 外，还考察了导带中库仑排斥 $U$ 的作用。我们发现该模型在 $U$-$J$ 平面上显示磁性有序-无序相变，临界值 $J_c$ 随着 $U$ 的增大而减小。计算了横跨该相变的单粒子谱函数 $A(k, \omega)$。对于所有 $J > 0$ 的值，除有序态中出现的阴影特征外，$A(k, \omega)$ 对磁性相变不敏感，第一个低能态空穴状态位于动量 $k = (\pm \pi, \pm \pi)$ 处。随着 $J \to 0$，该模型映射到 Hubbard 哈密顿量。只有在这一极限下，$k = (\pm \pi, \pm \pi)$ 处的低能谱权随着第一个电子剥离态在磁性布里渊兹边界上的波矢出现而消失。因此，我们得出结论：(i) 杂质自旋的局部屏蔽决定了谱函数的低能行为；(ii) 不能连续变形 Mott-Hubbard 绝缘体在 $J=0$ 时的谱函数到 Kondo 绝缘体在 $J > J_c$ 时的谱函数。我们的计算基于 $T=0$ 量子蒙特卡罗模拟和键能均场理论。