基于肖特基接触的单根硅线太阳能电池模拟研究
介观与纳米尺度物理
2015-04-24 v1
摘要
我们模拟了具有不同功函数金属接触的单根硅纳米线 (SiNW) 太阳能电池。研究了短路电流 () 和开路电压 ()。通过模拟理解了纳米线尺寸、少数载流子寿命以及接触金属功函数差异的影响。 和 均随纳米线长度增加而增大，但由于少数载流子复合而趋于饱和。发现饱和长度为扩散长度的五倍。接触功函数差异越大，太阳能电池特性改善越显著。较大的功函数差异还可能避免轴向 p-i-n 纳米线太阳能电池中的任何掺杂需求。通过将接触沿纳米线长度分布，可以最小化 的饱和以及电流密度随长度的退化。
引用
@article{arxiv.1504.06281,
title = {Simulation Study of Schottky Contact Based Single Si Wire Solar Cell},
author = {M. Golam Rabbani and Amit Verma and Reza Nekovei and Mahmoud M. Khader and M. P. Anantram},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.06281},
year = {2015}
}
备注
conference, 3 pages