超越 Shockley-Queisser 极限的单纳米线太阳能电池
介观与纳米尺度物理
2013-06-14 v1 光学
摘要
光管理对光伏电池至关重要，因为它决定了进入器件的入射光比例。优化的 pn 结结合优化的光吸收可使太阳能电池效率超过 Shockley-Queisser 极限。在此，我们通过研究生长在硅衬底上的单核壳 p-i-n 结 GaAs 纳米线太阳能电池的光电流产生，展示了如何实现这一点。在单太阳光照下，获得了 180 mA/cm^2 的短路电流，这比 Lambert-Beer 定律预测的值高出一个数量级以上。器件的光电流图表明，增强的光吸收归因于直立纳米线的聚光特性。这些结果意味着在单太阳光照下，基于 III-V 族材料的纳米线太阳能电池的最大可获得效率有了新的极限。
引用
@article{arxiv.1301.1068,
title = {Single nanowire solar cells beyond the Shockley-Queisser limit},
author = {Peter Krogstrup and Henrik Ingerslev Jørgensen and Martin Heiss and Olivier Demichel and Jeppe V. Holm and Martin Aagesen and Jesper Nygard and Anna Fontcuberta i Morral},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.1068},
year = {2013}
}
备注
19 pages, 3 figures