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高性能锌黄锡矿太阳能电池的 Suns-V$_\textrm{OC}$ 特性

材料科学 2016-03-08 v1

摘要

低开路电压 (VOCV_{OC}) 被认为是当前一代 Cu2_{2}ZnSn(Se,S)4_{4} (CZTSSe) 太阳能电池的首要问题。我们报道了在高性能 CZTSSe 器件上进行的高光强和低温 Suns-VOCV_{OC} 测量。Suns-VOCV_{OC} 曲线在高光强下表现出弯曲,这指向了几种潜在的 VOCV_{OC} 限制机制,这些机制即使在 1 个太阳光强下也可能对性能较低样品的 VOCV_{OC} 产生影响。这些 VOCV_{OC} 限制机制包括低体电导率(由于低空穴密度或低迁移率)、包含尾态的体缺陷或界面缺陷,以及低载流子密度 CZTSSe 的非欧姆背接触。非欧姆背接触问题可以通过不同单色光照明下的 Suns-VOCV_{OC} 测量来检测。这些限制因素也可能导致人为偏低的 JSCJ_{SC}-VOCV_{OC} 二极管理想因子。

关键词

引用

@article{arxiv.1406.2326,
  title  = {Suns-V$_\textrm{OC}$ characteristics of high performance kesterite solar cells},
  author = {Oki Gunawan and Tayfun Gokmen and David B. Mitzi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1406.2326},
  year   = {2016}
}

备注

9 pages, 9 figures, 1 supplementary material