高转换效率与开路电压的α-Si/多晶硅太阳能电池模拟
材料科学
2011-08-16 v1
摘要
采用AMPS-1D器件模拟器对P+ α-Si/N+多晶太阳能电池进行建模，以探索新型高效薄膜多晶硅太阳能电池。为分析该器件的特性及N+多晶硅层的厚度，我们在计算中考虑了N+多晶硅层中的杂质浓度以及前接触透明导电氧化物(TCO)的功函数。当N+多晶硅厚度在20 μm至300 μm范围内变化时，其对器件的影响很小。分析了多晶中杂质浓度的影响。得出结论：P+ α-Si/N+多晶太阳能电池的开路电压(Voc)非常高，达到752 mV，转换效率达到9.44%。因此，基于上述优化参数，对P+ α-Si/N+多晶硅形成的器件的研究对于探索高效多晶硅太阳能电池具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1108.2877,
title = {Simulation of High Conversion Efficiency and Open-circuit Voltages Of {\alpha}-si/poly-silicon Solar Cell},
author = {AQing Chen and QingYi Shao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.2877},
year = {2011}
}
备注
8 pages 6figures, 1 tables